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型号 IRFDC20PBF
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
IRFDC20PBF PDF
代理商 IRFDC20PBF
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Top
IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 320mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.4 欧姆 @ 190mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V
功率 - 最大 1W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装 管件
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFDC20PBF
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